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IGBT模塊的工作原理以及作用

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更新時間:2015年10月29日20:45:52 打印此頁 關閉
摘要: IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。   圖1 IGBT的等效電路...

欧美乱妇无码大片在线观看 IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

欧美乱妇无码大片在线观看   圖1 IGBT的等效電路

欧美乱妇无码大片在线观看   由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:

  --IGBT柵極與發射極之間的電壓;

  --IGBT集電極與發射極之間的電壓;

  --流過IGBT集電極-發射極的電流;

  --IGBT的結溫。

欧美乱妇无码大片在线观看   如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。

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